PENGARUH TEKANAN PARSIAL GAS N2 TERHADAP STRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PLD

    Gian Permadi, - (2008) PENGARUH TEKANAN PARSIAL GAS N2 TERHADAP STRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PLD. S1 thesis, Universitas Pendidikan Indonesia.

    Abstract

    Telah berhasil dilakukan penumbuhan dan karakterisasi sifat fisis film tipis galium nitrida (GaN) yang ditumbuhkan di atas substrat saphire (Al2O3) dengan metode pulsed laser deposition (PLD). Ketebalan film tipis untuk ketiga sampel adalah 90 nm, 171 nm, dan 201 nm. Laju aliran gas N2 divariasikan mulai 50 sccm, 100 sccm, 150 sccm, dengan tekanan parsial gas N2 dalam reaktor 0,15 mbar, 0,25 mbar, dan 0,35 mbar. Sedangkan untuk parameter penumbuhan lainnya seperti temperatur, dan waktu deposisi dibuat tetap yaitu 680 =616;C dan 2 jam. Karakterisasi struktur kristal dan morfologi film tipis dilakukan dengan XRD dan SEM, sedangkan untuk karakterisasi sifat listrik digunakan metode efek hall Van der Pauw. Melalui karakterisasi XRD, kualitas kristal film tipis dapat ditentukan dari orientasi kristal yang terbentuk dan nilai FWHM. Ketiga film tipis yang ditumbuhkan memiliki struktur kristal tunggal (single crystal) pada orientasi (0002). Dari hasil XRD ditemukan bahwa pada sampel kedua dengan laju aliran gas N2 100 sccm dan tekanan 0,25 mbar memiliki kualitas kristal yang paling baik diantara sampel lainnya yang ditandai dengan nilai FWHM yang kecil yaitu sekitar 0,46=616; dan hasil SEM menunjukkan sampel kedua memiliki homogenitas butir paling tinggi dibandingkan dengan sampel lainnya. Hasil karakterisasi listrik untuk sampel kedua menunjukkan nilai mobilitas listrik yang tinggi (19,054 cm2.V-1 .s-1), resistivitas yang rendah (4,60 × 10-2 Ω.m), dan memiliki konsentrasi pembawa muatan sebesar 1,5 × 10-19 m-3.

    Baca Full Text klik disini
    [thumbnail of s_d025_033860_table_of_contents.pdf] Text
    s_d025_033860_table_of_contents.pdf
    Download (243kB)
    [thumbnail of s_d025_033860_chapter1.pdf] Text
    s_d025_033860_chapter1.pdf
    Download (259kB)
    [thumbnail of s_d025_033860_chapter2.pdf] Text
    s_d025_033860_chapter2.pdf
    Restricted to Staf Perpustakaan
    Download (585kB)
    [thumbnail of s_d025_033860_chapter3.pdf] Text
    s_d025_033860_chapter3.pdf
    Download (388kB)
    [thumbnail of s_d025_033860_chapter4.pdf] Text
    s_d025_033860_chapter4.pdf
    Restricted to Staf Perpustakaan
    Download (416kB)
    [thumbnail of s_d025_033860_chapter5.pdf] Text
    s_d025_033860_chapter5.pdf
    Download (255kB)
    [thumbnail of s_d025_033860_bibliography.pdf] Text
    s_d025_033860_bibliography.pdf
    Download (251kB)
    Official URL: http://repository.upi.edu
    Item Type: Thesis (S1)
    Additional Information: ID SINTA Pembimbing: Dadi Rusdiana: 5974813 Andi Suhandi: 6005865
    Uncontrolled Keywords: TEKANAN PARSIAL GAS N2, STRUKTUR KRISTAL, MORFOLOGI FILM TIPIS GaN, METODE PLD
    Subjects: L Education > L Education (General)
    Q Science > QC Physics
    Divisions: Fakultas Pendidikan Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam > Program Studi Fisika - S1 > Program Studi Fisika (non kependidikan)
    Depositing User: Fawwaz Nabil Azaria
    Date Deposited: 15 Aug 2023 08:49
    Last Modified: 23 Aug 2023 02:28
    URI: http://repository.upi.edu/id/eprint/97363

    Actions (login required)

    View Item View Item