STUDI AWAL PEMBUATAN FOTOKONDUKTOR ULTRAVIOLET (UV) BERSTRUKTUR Al/n-GaN

R Zia Mulyawan, - (2008) STUDI AWAL PEMBUATAN FOTOKONDUKTOR ULTRAVIOLET (UV) BERSTRUKTUR Al/n-GaN. S1 thesis, Universitas Pendidikan Indonesia.

This is the latest version of this item.

Baca Full Text klik disini
[img] Text
s_d515_035221_table_of_contents.pdf
Download (14kB)
[img] Text
s_d515_035221_chapter1.pdf
Download (83kB)
[img] Text
s_d515_035221_chapter2.pdf
Restricted to Staf Perpustakaan
Download (327kB)
[img] Text
s_d515_035221_chapter3.pdf
Download (220kB)
[img] Text
s_d515_035221_chapter4.pdf
Restricted to Staf Perpustakaan
Download (164kB)
[img] Text
s_d515_035221_chapter5.pdf
Download (69kB)
[img] Text
s_d515_035221_bibliography.pdf
Download (16kB)
Official URL: http://repository.upi.edu

Abstract

Telah berhasil dilakukan pembuatan dan karakterisasi fotokonduktor berstruktur Al/n-GaN dimana untuk pembentukan kontak metal-semikonduktor menggunakan metode fotolithographic. Hasil pengukuran responsivitas, menunjukkan bahwa fotokonduktor cukup peka terhadap sinar dengan panjang gelombang antara 346 nm sampai 365 nm yang termasuk ke dalam rentang panjang gelombang near ultraviolet (NUV). Sedangkan untuk panjang gelombang lebih besar dari 365 nm, respon arus mengalami penurunan secara tajam. Hal ini menggambarkan bahwa fotokonduktor memiliki panjang gelombang pancung (cutoff wavelength) λc = 365 nm. Fotokonduktor memiliki responsivitas 1,02 A/W dan gain fotokonduksi (G) sebesar 7,56 pada panjang gelombang 346 nm dengan tegangan bias 2,5 V. Dari hasil karakterisasi I-V pada fotokonduktor untuk kondisi gelap konduktivitasnya sekitar 45,73 Ω-1 cm-1, sedangkan untuk kondisi penyinaran diperoleh peningkatan konsentrasi elektron 9,82 x 1018 cm-3 dengan fotokonduktivitas 75,67 Ω-1 cm-1, berarti terdapat peningkatan konduktivitas pada fotokonduktor sekitar 29,94 Ω-1 cm-1 akibat penyinaran dengan panjang gelombang 365 nm (energi foton 3,4 eV). Dari kurva I-V tersebut juga diperoleh pada kondisi gelap tinggi barier antara almunium dengan GaN tipe-n adalah sekitar 0,44 eV, sedangkan tinggi barier pada kondisi penyinaran mengalami penurunan yaitu 0,43 eV. Resistansi kontak pada fotokonduktor sekitar 0,26 Ω cm2. Resistansi kontak yang rendah tersebut menunjukkan bahwa kontak alumunium dengan semikonduktor GaN tipe-n memiliki karakteristik kontak ohmik.

Item Type: Thesis (S1)
Additional Information: ID SINTA Pembimbing: Andi Suhandi: 6005865 Dadi Rusdiana: 5974813
Uncontrolled Keywords: FOTOKONDUKTOR ULTRAVIOLET (UV), Al/n-GaN
Subjects: L Education > L Education (General)
Q Science > QC Physics
Divisions: Fakultas Pendidikan Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam > Jurusan Pendidikan Fisika > Program Studi Fisika (non kependidikan)
Depositing User: Fawwaz Nabil Azaria
Date Deposited: 21 Aug 2023 08:28
Last Modified: 21 Aug 2023 08:28
URI: http://repository.upi.edu/id/eprint/97705

Available Versions of this Item

Actions (login required)

View Item View Item