STUDI PENGARUH TEMPERATUR LINGKUNGAN TERHADAP KARAKTERISTIK MOBILITAS ELEKTRON DALAM SEMIKONDUKTOR GaN

Yulistya Pratiwi, - (2010) STUDI PENGARUH TEMPERATUR LINGKUNGAN TERHADAP KARAKTERISTIK MOBILITAS ELEKTRON DALAM SEMIKONDUKTOR GaN. S1 thesis, Universitas Pendidikan Indonesia.

	Text s_d515_043475_table_of_contents.pdf Download (249kB)
	Text s_d515_043475_chapter1.pdf Download (256kB)
	Text s_d515_043475_chapter2.pdf Restricted to Staf Perpustakaan Download (464kB)
	Text s_d515_043475_chapter3.pdf Download (252kB)
	Text s_d515_043475_chapter4.pdf Restricted to Staf Perpustakaan Download (370kB)
	Text s_d515_043475_chapter5.pdf Download (240kB)
	Text s_d515_043475_bibliography.pdf Download (243kB)

Abstract

Mobilitas elektron dalam semikonduktor GaN telah dihitung pada temperatur berbeda dengan menggunakan perangkat lunak MATLAB versi 7 untuk berbagai mekanisme hamburan yaitu hamburan impuritas terionisasi, hamburan impuritas netral, hamburan potensial deformasi, hamburan potensial piezoelektrik, dan hamburan kutub. Program dijalankan dengan memasukkan parameter-parameter GaN. Keluaran dari program berupa grafik hasil perhitungan perubahan temperatur. Analisis dilakukan dengan melihat kebergantungan mobilitas elektron terhadap temperatur (0 - 400 K). Sifat transport listrik pada bahan semikonduktor dipengaruhi oleh mekanisme gangguan salah satunya adalah mobilitas elektron dan gangguan ini biasanya terjadi akibat adanya mekanisme hamburan. Mobilitas elektron sangat bergantung pada berbagai mekanisme hamburan kecuali pada hamburan impuritas netral. Pada hamburan impuritas terionisasi, efek hamburan ini sangat dominan pada temperatur rendah sehingga mengakibatkan mobilitas elektron naik secara eksponensial seiring dengan naiknya temperatur sedangkan untuk hamburan potensial deformasi, hamburan potensial piezoelektrik, dan hamburan kutub, efek hamburan sangat dominan terjadi pada temperatur tinggi sehingga mobilitas elektron terus menurun secara logaritmik seiring dengan naiknya temperatur. Pada grafik gabungan mobilitas elektron terhadap temperatur untuk semua jenis hamburan memperlihatkan bahwa hamburan sangat dominan pada temperatur tinggi, hal ini ditunjukkan dengan menurunnya mobilitas elektron secara logaritmik ketika temperatur dinaikkan mencapai 400 K. Penggunaan perangkat lunak MATLAB mempercepat penyelesaian perhitungan dan pembuatan grafik. Penyusunan program membutuhkan waktu yang agak lama namun program dapat digunakan pada berbagai kasus yang sama dengan mengganti data masukkan yakni parameter-parameter sesuai dengan kondisi yang ada dan keluarannya dapat diperoleh dengan cepat.

Item Type:	Thesis (S1)
Additional Information:	id sinta dosen pembimbing: Lilik Hasanah: 5994035 Dadi Rusdiana: 5974813
Uncontrolled Keywords:	PENGARUH TEMPERATUR LINGKUNGAN, KARAKTERISTIK MOBILITAS ELEKTRON, SEMIKONDUKTOR GaN
Subjects:	L Education > L Education (General) Q Science > QC Physics
Divisions:	Fakultas Pendidikan Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam > Jurusan Pendidikan Fisika > Program Studi Fisika (non kependidikan)
Depositing User:	Erni Alipiyani
Date Deposited:	12 Oct 2023 07:08
Last Modified:	12 Oct 2023 07:08
URI:	http://repository.upi.edu/id/eprint/110305

Actions (login required)

View Item