Ulwin Shofia Hajaroh, - (2011) STUDI PENGARUH TEKANAN GAS NITROGEN TERHADAP KARAKTERISTIK LISTRIK PERSAMBUNGAN AL-GAN YANG DIDEPOSISI DENGAN TEKNIK SPIN COATING. S1 thesis, Universitas Pendidikan Indonesia.
Abstract
Film tipis galium nitrida (GaN) telah dideposisi dengan teknik spin coating kemudian dimetalisasi dengan logam alumunium. Gel dipreparasi dari kristal gallium citrate amine dengan molaritas Ga2O3 2,45 M, lalu ditempatkan di atas substrat dan kemudian substrat tersebut diputar dengan laju 1108 rpm. Lapisan yang diperoleh dikeringkan dengan hot plate kemudian ditempatkan dalam programmable furnace. Sampel #a dan #b dideposisi pada temperatur 900oC dalam lingkungan gas nitrogen dengan tekanan 0,5 kgf/cm2(sampel #a) dan 1,5 kgf/cm2 (sampel #b), masing-masing dalam rentang waktu 1 jam. Hasil pengukuran I-V menunjukan bahwa ketika tekanan gas nitrogen diperbesar dari 0,5 kgf/cm2 menjadi 1,5 kgf/cm2 potensial barrier pada persambungan schottky Al-GaN menurun dari 0,71 eV menjadi 0,66 eV.
![]() |
Text
s_fis_0608807_table_of_content.pdf Download (250kB) |
![]() |
Text
s_fis_0608807_chapter1.pdf Download (249kB) |
![]() |
Text
s_fis_0608807_chapter2.pdf Restricted to Staf Perpustakaan Download (395kB) |
![]() |
Text
s_fis_0608807_chapter3.pdf Download (449kB) |
![]() |
Text
s_fis_0608807_chapter5.pdf Download (246kB) |
![]() |
Text
s_fis_0608807_bibliography.pdf Download (265kB) |
Item Type: | Thesis (S1) |
---|---|
Additional Information: | ID SINTA Dosen Pembimbing DADI RUSDIANA: 5974813 ANDHY SETIAWAN: 6040311 |
Uncontrolled Keywords: | Film tipis GaN, Teknik spin-coating, Substrat Silikon. |
Subjects: | L Education > L Education (General) Q Science > QC Physics |
Divisions: | Fakultas Pendidikan Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam > Program Studi Fisika - S1 |
Depositing User: | Hikmal Fajar Fardyan |
Date Deposited: | 16 Sep 2023 15:45 |
Last Modified: | 16 Sep 2023 15:45 |
URI: | http://repository.upi.edu/id/eprint/105378 |
Actions (login required)
![]() |
View Item |