PENGARUH TEMPERATUR DEPOSISI TERHADAP KARAKTERISTIK LISTRIK PERSAMBUNGAN Al-GAN YANG DIDEPOSISI DENGAN METODE SOL GEL MENGGUNAKAN TEKNIK SPIN COATING

Sera Graha Tresna, - (2011) PENGARUH TEMPERATUR DEPOSISI TERHADAP KARAKTERISTIK LISTRIK PERSAMBUNGAN Al-GAN YANG DIDEPOSISI DENGAN METODE SOL GEL MENGGUNAKAN TEKNIK SPIN COATING. S1 thesis, Universitas Pendidikan Indonesia.

[img] Text
s_fis_0608583_table_of_content.pdf

Download (255kB)
[img] Text
s_fis_0608583_chapter1.pdf

Download (275kB)
[img] Text
s_fis_0608583_chapter2.pdf
Restricted to Staf Perpustakaan

Download (1MB)
[img] Text
s_fis_0608583_chapter3.pdf

Download (1MB)
[img] Text
s_fis_0608583_chapter4.pdf
Restricted to Staf Perpustakaan

Download (1MB)
[img] Text
s_fis_0608583_chapter5.pdf

Download (252kB)
[img] Text
s_fis_0608583_bibliography.pdf

Download (260kB)
Official URL: http://repository.upi.edu

Abstract

Film tipis GaN telah berhasil dideposisikan di atas subatrat silikon (111) dengan menggunakan metode sol gel teknik spin coating dengan kecepatan putaran sebesar 1108 rpm dan molaritas larutan sebesar 2.46 M. Lapisan-lapisan gel yang telah dihasilkan dimasukkan ke dalam programmable furnace dengan menvariasikan temperatur deposisi yang digunakan yaitu 850oC dan 900oC. Film tipis yang telah dideposisi kemudian dilakukan pembuatan kontak dengan menggunakan logam aluminium. Pembuatan kontak dilakukan dengan teknik evaporasi. Persambungan Al-GaN yang telah dihasilkan di uji karakterisasi I-V. Hal ini bertujuan untuk mengetahui karakteristik listrik pada persambungan Al-GaN. Hasil karakterisasi I-V menunjukkan bahwa persambungan Al-GaN dengan temperatur deposisi 900oC memiliki sifat listrik yang baik dibandingkan dengan persambungan Al-GaN yang dideposisi pada temperatur deposisi 850oC. Hal ini dikarenakan persambungan Al-GaN dengan temperatur deposisi 900oC memiliki nilai tegangan barrier yang kecil.

Item Type: Thesis (S1)
Additional Information: ID SINTA Dosen Pembimbing DADI RUSDIANA: 5974813 YUYU RACHMAT TAYUBI: 5995486
Uncontrolled Keywords: Film tipis GaN, karakterisasi I-V, tegangan barrier, temperatur deposisi.
Subjects: L Education > L Education (General)
Q Science > QC Physics
Divisions: Fakultas Pendidikan Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam > Jurusan Pendidikan Fisika
Depositing User: Hikmal Fajar Fardyan
Date Deposited: 16 Sep 2023 15:45
Last Modified: 16 Sep 2023 15:45
URI: http://repository.upi.edu/id/eprint/105332

Actions (login required)

View Item View Item