…
comment: The repository administrator has not yet configured an RDF license.
primary topic: STUDI AWAL PEMBUATAN FOTOKONDUKTOR ULTRAVIOLET (UV) BERSTRUKTUR Al/n-GaN

STUDI AWAL PEMBUATAN FOTOKONDUKTOR ULTRAVIOLET (UV) BERSTRUKTUR Al/n-GaN
type: Thesis
type: Article
abstract: Telah berhasil dilakukan pembuatan dan karakterisasi fotokonduktor berstruktur Al/n-GaN dimana untuk pembentukan kontak metal-semikonduktor menggunakan metode fotolithographic. Hasil pengukuran responsivitas, menunjukkan bahwa fotokonduktor cukup peka terhadap sinar dengan panjang gelombang antara 346 nm sampai 365 nm yang termasuk ke dalam rentang panjang gelombang near ultraviolet (NUV). Sedangkan untuk panjang gelombang lebih besar dari 365 nm, respon arus mengalami penurunan secara tajam. Hal ini menggambarkan bahwa fotokonduktor memiliki panjang gelombang pancung (cutoff wavelength) λc = 365 nm. Fotokonduktor memiliki responsivitas 1,02 A/W dan gain fotokonduksi (G) sebesar 7,56 pada panjang gelombang 346 nm dengan tegangan bias 2,5 V. Dari hasil karakterisasi I-V pada fotokonduktor untuk kondisi gelap konduktivitasnya sekitar 45,73 Ω-1 cm-1, sedangkan untuk kondisi penyinaran diperoleh peningkatan konsentrasi elektron 9,82 x 1018 cm-3 dengan fotokonduktivitas 75,67 Ω-1 cm-1, berarti terdapat peningkatan konduktivitas pada fotokonduktor sekitar 29,94 Ω-1 cm-1 akibat penyinaran dengan panjang gelombang 365 nm (energi foton 3,4 eV). Dari kurva I-V tersebut juga diperoleh pada kondisi gelap tinggi barier antara almunium dengan GaN tipe-n adalah sekitar 0,44 eV, sedangkan tinggi barier pada kondisi penyinaran mengalami penurunan yaitu 0,43 eV. Resistansi kontak pada fotokonduktor sekitar 0,26 Ω cm2. Resistansi kontak yang rendah tersebut menunjukkan bahwa kontak alumunium dengan semikonduktor GaN tipe-n memiliki karakteristik kontak ohmik.
date: 2008-08-22
status: published
creator: - Dadi Rusdiana
author list: authors
THS: - Dadi Rusdiana
type: EPrint
type: ThesisEPrint
is part of: repository
has document: STUDI AWAL PEMBUATAN FOTOKONDUKTOR ULTRAVIOLET (UV) BERSTRUKTUR Al/n-GaN (Text)
subject: L Education (General)
subject: QC Physics

STUDI AWAL PEMBUATAN FOTOKONDUKTOR ULTRAVIOLET (UV) BERSTRUKTUR Al/n-GaN (Text)
type: Document
has file: s_d515_035221_table_of_contents.pdf
has part: s_d515_035221_table_of_contents.pdf

STUDI AWAL PEMBUATAN FOTOKONDUKTOR ULTRAVIOLET (UV) BERSTRUKTUR Al/n-GaN (Text)
type: Document
has file: s_d515_035221_chapter1.pdf
has part: s_d515_035221_chapter1.pdf

STUDI AWAL PEMBUATAN FOTOKONDUKTOR ULTRAVIOLET (UV) BERSTRUKTUR Al/n-GaN (Text)
type: Document

STUDI AWAL PEMBUATAN FOTOKONDUKTOR ULTRAVIOLET (UV) BERSTRUKTUR Al/n-GaN (Text)
type: Document
has file: s_d515_035221_chapter3.pdf
has part: s_d515_035221_chapter3.pdf

STUDI AWAL PEMBUATAN FOTOKONDUKTOR ULTRAVIOLET (UV) BERSTRUKTUR Al/n-GaN (Text)
type: Document

STUDI AWAL PEMBUATAN FOTOKONDUKTOR ULTRAVIOLET (UV) BERSTRUKTUR Al/n-GaN (Text)
type: Document
has file: s_d515_035221_chapter5.pdf
has part: s_d515_035221_chapter5.pdf

STUDI AWAL PEMBUATAN FOTOKONDUKTOR ULTRAVIOLET (UV) BERSTRUKTUR Al/n-GaN (Text)
type: Document
has file: s_d515_035221_bibliography.pdf
has part: s_d515_035221_bibliography.pdf

Universitas Pendidikan Indonesia
type: Organization

KODEPRODI45201#Fisika_S1, Universitas Pendidikan Indonesia
type: Organization

- Dadi Rusdiana
type: Person
given name: -
family name: Dadi Rusdiana

HTML Summary of #97705 STUDI AWAL PEMBUATAN FOTOKONDUKTOR ULTRAVIOLET (UV) BERSTRUKTUR Al/n-GaN
format: text/html
primary topic: STUDI AWAL PEMBUATAN FOTOKONDUKTOR ULTRAVIOLET (UV) BERSTRUKTUR Al/n-GaN

L Education (General)
type: Concept

QC Physics
type: Concept