PENGARUH MOLARITAS Ga2O3 DAN LAJU ALIRAN GAS N2 TERHADAP KARAKTERISTIK FISIS FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE SOL-GEL MENGGUNAKAN TEKNIK SPIN-COATING

Fadlika Firdaus, - (2009) PENGARUH MOLARITAS Ga2O3 DAN LAJU ALIRAN GAS N2 TERHADAP KARAKTERISTIK FISIS FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE SOL-GEL MENGGUNAKAN TEKNIK SPIN-COATING. -, - (-). ---. ISSN -

	Text s_pfis_045702_table_of_content.pdf Download (242kB)
	Text s_pfis_045702_chapter1.pdf Download (259kB)
	Text s_pfis_045702_chapter2.pdf Restricted to Staf Perpustakaan Download (365kB)
	Text s_pfis_045702_chapter3.pdf Download (1MB)
	Text s_pfis_045702_chapter5.pdf Download (246kB)

Abstract

Gallium Nitrida (GaN) merupakan bahan semikonduktor yang memiliki lebar celah pita energi pada suhu ruang sebesar 3,4 Ev, struktur pita energi dengan transisi langsung (direct band gap) sehingga berpotensi untuk aplikasi piranti optoelektronik seperti LD (laser diode) dan LED (light emitting diode) serta untuk aplikasi sensor gas. Film tipis GaN telah ditumbuhkan di atas substrat silikon (111) dengan metode sol-gel menggunakan teknik spin-coating. Proses penumbuhan film tipis GaN dilakukan pada laju putaran spiner 1000 rpm, temperatur penguapan palarut 100 0C, temperatur dekomposisi 400 0C, temperatur deposisi 850 0C. Tiga buah sampel film tipis GaN telah ditumbuhkan pada laju aliran gas Nitrogen sebesar 16 sccm (standar centimeter cubic per menit) dengan perbedaan molaritas Ga2O3 sebagai berikut : 0,72 M, 1,07 M, dan 1,33 M. Satu buah sampel film tipis GaN telah ditumbuhkan pada laju aliran gas Nitrogen sebesar 40 sccm dengan molaritas Ga2O3 1,33 M. Film tipis GaN dikarakterisasi struktur kristalnya dengan XRD, sedangkan morfologi permukaan dan penampang lintang dikarakterisasi dengan SEM. Hasil karakterisasi film tipis GaN dengan XRD menunjukkan kondisi optimal untuk penumbuhan film tipis GaN dicapai pada molaritas Ga2O3 1,33 M dengan laju aliran gas Nitrogen 40 sccm. Film tipis GaN mempunyai struktur heksagonal dengan parameter kisi a = (3,116 ± 0,035) Å dan c = (5,170 ± 0,053) Å. Hasil SEM menunjukan tebal film tipis GaN yang ditumbuhkan pada laju aliran gas Nitrogen 40 sccm dengan molaritas Ga2O3 1,33 M lebih homogen dengan tebal film 0,78 µm.

Item Type:	Article
Additional Information:	ID SINTA pembimbing : Dadi Rusdiana : 5974813 Parlindungan Sinaga : 5989835
Uncontrolled Keywords:	Film tipis GaN, metode sol-gel, teknik spin-coating, molaritas Ga¬2O3, laju aliran gas Nitrogen.
Subjects:	L Education > L Education (General)
Divisions:	Fakultas Pendidikan Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam > Jurusan Pendidikan Fisika
Depositing User:	Rena Rahmawati
Date Deposited:	13 Nov 2023 09:13
Last Modified:	13 Nov 2023 09:13
URI:	http://repository.upi.edu/id/eprint/112246

Actions (login required)

View Item